2017年10月25日，第十五届中国国际半导体博览会暨高峰论坛（IC CHIN[**] 2017）在上海新国际博览中心如期盛大开幕。在为期三天的展会中，长春国科精密光学技术有限公司以“中国高端精密光学产业的开拓者和引领者”为主题重彩登场，展出了Epolith [**]075型[**]rF光刻机曝光光学系统，赢得了与会观众的一致赞叹。

        Epolith [**]075是我国首台全自主知识产权的90nm节点[**]rF光刻机曝光光学系统，其研发成功代表我国在高端光刻机曝光光学系统领域成功打破国外技术垄断，标志着我国超精密光学事业实现了从无到有的历史性跨越，书写了中国高端制造的新篇章。

       25日上午，公司总经理杨怀江、副总经理黄惠杰受邀出席展会开幕式。开幕式结束后，科技部原副部长曹健林、工业和信息化部电子信息司司长刁石京、上海市经济和信息化委员会副主任黄瓯、中国半导体行业协会理事长周子学、国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武、中国电子信息产业集团有限公司副总经理陈旭、上海市浦东新区科技和经济委员会高新技术产业化处长孔令毅、02专项总师叶甜春以及专项总体组其他专家莅临公司展位参观指导。公司总经理兼90nm [**]rF光刻机曝光光学系统首席科学家杨怀江博士向各位领导及专家详细介绍了Epolith [**]075及公司其它主要产品和技术，同时汇报了团队公司化运转以来取得的成果和业绩。各位领导和专家对国科精密的发展给予了充分肯定，并对公司在2017年取得里程碑式的跨越表示祝贺。

       25日下午，国科精密邀请科技部原副部长、02专项光刻机工程指挥部总指挥曹健林在IC CHIN[**]  2017高峰论坛上发表了“九年风云集一镜——中国首套高端光刻机曝光光学系统研发历程回顾”的主题演讲。

       曹健林称，90nm节点光刻机曝光光学系统的研发引入了系统工程思想，构建了面向超高精度复杂产品研发的集成化产品开发策略，建立了综合设计、加工、镀膜、装配、测试、装调全工艺过程的像质预测模型，研发过程严格按照里程碑节点进行控制与设计，于2017年7月的首次曝光实验中即获成功，曹健林向各界特别说明，90nm节点光刻机曝光光学系统已于10月24日通过了02专项组织的整机环境下的验收测试，其最终曝光实测分辨率达到了85nm的理想结果。

       但是，曹健林也指出，国内半导体行业的关键材料与装备研发仍处于发展阶段，希望未来我国高端光刻机自主研发能再接再厉，继续攻坚克难，完成后续的28nm节点任务，为我国建立自主极大规模集成电路制造产业贡献核心装备。

        26日下午，公司机械工程部经理倪明阳参加了中国集成电路制造产业链专项研讨会，并做了题为“超精密光学系统研制中的系统工程问题——N[**]0.75光刻投影物镜研制进程”的主题报告。 业内同仁对报告中展示的超精密光学前沿技术与相应的研发逻辑给予了高度的认可与赞誉。

        九年磨一镜，风雨见昆仑！国科精密人已向国家交出了一份令人满意的答卷！但我们同样认识到，目前我们仍然与国外先进水平存在较大的差距。山高水长，任重道远。国科精密人将再接再厉，勇于担当，坚决完成中国高端精密光学产业的历史使命。